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MOS管FET柵源保護(hù):

1)避免 柵極 di/dt 過高

因為選用驅(qū)動集成ic,其輸出阻抗較低,直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連,有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動,或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生,一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器,電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2)避免 柵源極間過壓

因為柵極與源極的特性阻抗很高,漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓,此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透,與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透,因此,要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下,保護(hù) MOS 管不被穿透。

3)安全防護(hù)漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大,但假如漏源極不用保護(hù)電路,一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓,從而毀壞 MOS 管,功率管電源開關(guān)速率越快,造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞,mos萬芯半導(dǎo)體,一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對策。

MOSFET管有兩個電極,一個是金屬,另一個是外在硅,他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產(chǎn)制造為四種類型,分別是增強(qiáng)型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種,但其實在實際的運(yùn)用中一般只用增強(qiáng)型的N溝道和增強(qiáng)型的P溝道MOS管,因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。

針對這兩種增強(qiáng)型的MOS管,其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強(qiáng)型的N溝道MOS管的導(dǎo)通電阻更小,并且生產(chǎn)簡便,因此在開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動的運(yùn)用中,我們一般使用增強(qiáng)型的N溝道MOS管。

MOS管的三個管腳中有寄生電容的存在,雖然說這并不是大家所需要的,但其中生產(chǎn)制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容,這讓其設(shè)計方案或挑選驅(qū)動電源電路的情況下會更麻煩一些,其中還沒有解決的辦法能避免。

在MOS管的漏極和源極中有一個寄生二極管叫做體二極管,寧波mos,就驅(qū)動感性負(fù)載來說,二極管對其十分重要。順帶說一句,體二極管只在單獨的MOS管內(nèi)存在,在集成電路芯片內(nèi)部一般都是沒有的。

公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),mos價格,并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。

mos管有的時候也稱作絕緣柵場效應(yīng)管,因為它歸屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型,全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,mos廠家,是一種能夠普遍應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異,可分成“N型”與“P型”的兩個類型,也就是常說的Nmos、Pmos。

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