熱壓法:ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內(nèi)充填入適當(dāng)粉末以后,哪家有銀鈀靶材,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓,同時以1000℃~1600℃進行燒結(jié)。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小,燒結(jié)溫度較低,銀鈀靶材報價,燒結(jié)時間較短。但熱壓法生產(chǎn)的ITO靶材由于缺氧率高,寧夏銀鈀靶材,氧含量分布不均勻,從而影響了生產(chǎn)ITO薄膜的均勻性,且不能生產(chǎn)大尺寸的靶。
燒結(jié)法:?ITO靶材燒結(jié)制作法是在以銦錫氧化物共沉淀粉末或氧化銦和氧錫混合粉末為原料,加入粘結(jié)劑和分散劑混合后,壓力成型,銀鈀靶材廠,脫脂,然后于1400℃---1600℃燒結(jié)。燒結(jié)法設(shè)備投入少,成本低,產(chǎn)品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造過程中對粉末的選擇性很強。
ITO靶制備的透明導(dǎo)電薄膜廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、投影電視、數(shù)碼顯示的各種光學(xué)系統(tǒng)中,需求量都很大。
金屬靶材材質(zhì)分為:
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。
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