公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，2090mos廠家，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管失效的六個(gè)原因：

1、電壓失效是大家常說(shuō)漏源間的BVdss電壓超出了mosfet的額定電壓，而且超出了一定的能力進(jìn)而導(dǎo)致mosfet失效。

2、電流失效即是超過(guò)了mosfet安全工作范圍而造成的無(wú)效，其中又分為Id超出器件規(guī)格而導(dǎo)致的失效以及其Id過(guò)大，耗損過(guò)高導(dǎo)致器件長(zhǎng)期熱累積而導(dǎo)致的失效。

3、在橋式、LLC等有效到體二極管開(kāi)展續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，因?yàn)轶w二極管遭到毀壞而導(dǎo)致的無(wú)效。

4、在并聯(lián)的應(yīng)用過(guò)程中，柵極跟電路寄生參數(shù)導(dǎo)致波動(dòng)會(huì)造成諧振失效。

5、在干燥的環(huán)境中，因?yàn)槿梭w跟設(shè)備而產(chǎn)生的靜電會(huì)導(dǎo)致器件的靜電無(wú)效。

6、因?yàn)闁艠O出現(xiàn)異常工作電壓頂i峰，導(dǎo)致柵極電壓無(wú)效。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，2090mos萬(wàn)芯半導(dǎo)體，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管有的時(shí)候也稱作絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，因?yàn)樗鼩w屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型，全名是金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種能夠普遍應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。依據(jù)其“通道”(工作載流子)的極性差異，可分成“N型”與“P型”的兩個(gè)類(lèi)型，也就是常說(shuō)的Nmos、Pmos。

公司成立于2013年7月，專(zhuān)注從事單片機(jī)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiāo)售，在LED及小家電等消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

無(wú)論是NMOS或是PMOS，2090mos，導(dǎo)通后都會(huì)有導(dǎo)通電阻，使得電流在電阻上耗費(fèi)一定的電能，這種耗費(fèi)叫做導(dǎo)通耗損。這時(shí)我們只要挑選導(dǎo)通電阻小的MOS管就可以減少導(dǎo)通耗損，如今的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般也就幾十毫歐的樣子，甚至幾毫歐的都有。MOS在導(dǎo)通和截至的情況下，2090mos公司，并不是在一瞬間完成的。

MOS兩邊的電壓有一個(gè)降低的過(guò)程，流過(guò)的電流則有一個(gè)升高的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，電壓和電流相乘即是MOS管的損耗大小。一般開(kāi)關(guān)的損耗要比導(dǎo)通的損耗要大很多，并且要是開(kāi)關(guān)頻率越高，損耗就越大。導(dǎo)通瞬間的電壓和電流相乘的數(shù)值越大，導(dǎo)致其損耗也越大。如果我們能減少開(kāi)關(guān)時(shí)間，就能夠減少每次導(dǎo)通時(shí)的損耗，減少開(kāi)關(guān)的頻率，也就能夠減少一定時(shí)間內(nèi)開(kāi)關(guān)的頻次，從而做到減少開(kāi)關(guān)損耗。

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