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北京晶宇興科技有限公司
主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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一種具有溫度補(bǔ)償效應(yīng)的環(huán)形振蕩器設(shè)計
介紹了一種基于O.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的三級差分環(huán)形壓控振蕩器。結(jié)果表明，2.5V電源電壓供電時，七專級電壓調(diào)振蕩器報價，振蕩器中心頻率為315MHz，工作電流為330uA，電路功耗僅為825uW。溫度范圍為一30~80℃，輸出頻率的中心頻率為295~328MHz，頻率變化小于1000ppm。本設(shè)計可極大的改善由于溫度引起的振蕩器頻率嚴(yán)重變化的影響，七專級電壓調(diào)振蕩器，可應(yīng)用于鎖相環(huán)和頻率綜合器設(shè)計中。
VCO采用多種封裝形式，通常采用表面貼裝封裝或同軸連接封裝。通常采用堅(jiān)固及氣密性封裝，或者專門針對惡劣環(huán)境和滿足高可靠性標(biāo)準(zhǔn)（工業(yè)、商業(yè)或用途）進(jìn)行封裝。因此，電鍍和封裝材料/技術(shù)通常滿足標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，能夠達(dá)到相關(guān)的運(yùn)行溫度范圍、濕度、沖擊和振動要求。就大多數(shù)帶模擬電壓輸入設(shè)計的VCO而言，其輸出頻率與調(diào)諧電壓之間存在大致線性關(guān)系，但這并未考慮輸入電壓、輸入電流、負(fù)載和調(diào)諧電壓對輸出功率和頻率特性的綜合影響。這些影響可以采用推頻（VCO頻率變化與電源電壓的關(guān)系）和牽引（VCO頻率變化與輸出負(fù)載的關(guān)系）進(jìn)行說明。
壓控振蕩器性能指標(biāo)
1.中心頻率是指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，即振蕩器頻率的大值和小值的中間值，七專級電壓調(diào)振蕩器單價，中心頻率的大小取決于振蕩器的結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)，而且還隨著工藝和溫度相應(yīng)改變;隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和產(chǎn)品性能的調(diào)高，現(xiàn)如今CMOS壓控振蕩器的中心頻率能夠達(dá)到10GHz。
2.調(diào)諧范圍是指調(diào)節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的大調(diào)諧頻率和小調(diào)諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調(diào)諧范圍才能滿足輸出頻率達(dá)到所需要的值。
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第5年
