晶振
參數(shù)a. 標(biāo)稱頻率:在規(guī)定條件下,晶振的諧振中心頻率.
b. 調(diào)整頻差:在規(guī)定條件下,基準(zhǔn)溫度時的工作頻率相對標(biāo)稱頻率的偏離值.(ppm)
c. 溫度頻差:在規(guī)定條件下,表貼晶振,在整個工作溫度范圍內(nèi),相對于基準(zhǔn)溫度時工作頻率的允許偏離值.
d. 負(fù)載諧振電阻:晶振與外部電容相串聯(lián),在負(fù)載諧振頻率時的電阻值.
e.負(fù)載電容: 是指與晶振一起決定負(fù)載諧振頻率的有效外界電容.常用標(biāo)準(zhǔn)值有:12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.
晶振
晶體電阻:對于同一頻率,當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。
工作溫度范圍與溫度頻差:在提出溫度頻差時,應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對溫度頻差要求很高,同時空間和功率都允許的情況下,應(yīng)考慮恒溫工作,恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計的。
負(fù)載電容與頻率牽引:在許多應(yīng)用中,都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求,這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要,大多數(shù)情況下,這個負(fù)載電抗呈容性,當(dāng)該電容值為CL時,石油200度表貼晶振價格,則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為:DL=C1/[2(C0+CL)]。
晶振
晶振有一個重要的參數(shù),那就是負(fù)載電容值,儀器230度表貼晶振價格,選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容,就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。
一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振,再有兩個電容分別接到晶振的兩端,每個電容的另一端再接到地,儀器200度表貼晶振價格,這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容,請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個不能忽略。
一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p ,如果再考慮元件引腳的等效輸入電容,則兩個22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。
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