隨著半導體LED技術的發(fā)展,其在照明領域的應用也越來越多,特別是白光LED的出現(xiàn),更是成為半導體照明的熱點。
但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高,LED外延片廠家,在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。
提高功率意味著芯片的使用電流加大,較為直接的辦法是加大芯片尺寸,現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右,使用電流在350mA.由于使用電流的加大,LED外延片供應商,散熱問題成為突出問題,現(xiàn)在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。
隨著LED技術的發(fā)展,其在照明領域的應用會面臨一個從未有的機遇和挑戰(zhàn)。
LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極,并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊,同時盡可能的多地出光。
渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法,4Pa高真空下,LED外延片,用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化,并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。
一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金,N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。
鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發(fā)光區(qū)盡可能多地露出來,使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。
光刻工序結束后還要通過合金化過程,合金化通常是在H2或N2的保護下進行。
合金化的時間和溫度通常是根據(jù)半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。
當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜,需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
1. 供過于求狀態(tài)或將持續(xù)
經(jīng)LED芯片行業(yè)大洗牌,海外企業(yè)與國內二三線芯片廠商產能逐步收縮,國內大廠將依靠資金、技術、規(guī)模優(yōu)勢繼續(xù)大規(guī)模擴產高i端產能,LED芯片產能逐步釋放,若無明顯的需求爆發(fā)拉動,供過于求狀態(tài)或將持續(xù)。
2. 優(yōu)化傳統(tǒng)LED芯片業(yè)務
對于傳統(tǒng)通用照明產品毛利率的降低,各家企業(yè)將持續(xù)優(yōu)化產品性能、提升可靠性和良率等,以降成本為目標。此外,高附加值、高毛利產品比重將提升。
3. 企業(yè)走差異化路線
各大企業(yè)將尋找新增長點,走差異化路線:一是加強Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新興市場產品的開發(fā),提升高i端產品的營收占比;二是或將重芯轉至化合物半導體領域,深化GaAs和GaN材料的研究和應用。
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