公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管在開關(guān)電路里面起到的作用就是控制電路的通斷和信號(hào)的轉(zhuǎn)換。MOS管大致可分為兩大類：N溝道和P溝道。

在N溝道MOS管電路里，BEEP引腳是高電平就可以導(dǎo)通使得蜂鳴器響應(yīng)，低電平則是關(guān)閉蜂鳴器。P溝道MOS管來控制GPS模塊電源的通斷，WPmos管哪家好，GPS_PWR引腳是低電平的時(shí)候?qū)?，GPS模塊則正常地供電，高電平時(shí)使得GPS模塊斷電。

P溝道MOS管在N型硅襯底上P+區(qū)有兩個(gè)：漏極和源極。這兩極彼此之間并不通導(dǎo)，當(dāng)在接地時(shí)源極上加有足夠的正電壓，柵極下面的N型硅表面就會(huì)浮現(xiàn)出P型的反型層，變成連接漏極和源極的溝道。改變柵極的電壓可以使溝道里的空穴密度發(fā)生變化，因此來改變溝道電阻。這種就被稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

NMOS的特性，Vgs只要大于一定的數(shù)值便會(huì)導(dǎo)通，適用在源極接地的低端驅(qū)動(dòng)的情況下，前提是柵極的電壓達(dá)到4V或著10V就行。

PMOS的特性，與NMOS相反，在Vgs只要小于一定的數(shù)值便會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接VCC時(shí)高i端驅(qū)動(dòng)的情況下。但是，由于替換種類少，導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴等原因，盡管PMOS可以非常方便地用作在高i端驅(qū)動(dòng)的情況下，所以在高i端驅(qū)動(dòng)中，一般都還是使用NMOS。

總的來說，MOS管有著很高的輸入阻抗，在電路中方便直接耦合，比較容易制作成為規(guī)模大的集成電路 。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，WPmos管廠家，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，慈溪WPmos管，為您量身定制適合的芯片方案。

MOS管即可用于放大電流，又可以作為可變電阻，還能用作電子開關(guān)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。而在使用過程中，MOS管是通過加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。

MOS管是電壓控制器件，也就是需要使用電壓控制G腳來實(shí)現(xiàn)對(duì)管子電流的控制。市面上常見的是增強(qiáng)型N溝通MOS管，廠家可以用一個(gè)電壓來控制G的電壓。

基本方法：用一個(gè)控制電壓（比較器同相輸入端）和一個(gè)參考電壓（比較器反相輸入端），同時(shí)進(jìn)入電壓比較器，比較器的輸出經(jīng)過電阻上拉后接G腳，如果控制電壓比參考電壓高，WPmos管生產(chǎn)廠家，則控制MOS管導(dǎo)通輸出電流。

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

mos管失效的六個(gè)原因：

1、電壓失效是大家常說漏源間的BVdss電壓超出了mosfet的額定電壓，而且超出了一定的能力進(jìn)而導(dǎo)致mosfet失效。

2、電流失效即是超過了mosfet安全工作范圍而造成的無效，其中又分為Id超出器件規(guī)格而導(dǎo)致的失效以及其Id過大，耗損過高導(dǎo)致器件長(zhǎng)期熱累積而導(dǎo)致的失效。

3、在橋式、LLC等有效到體二極管開展續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，因?yàn)轶w二極管遭到毀壞而導(dǎo)致的無效。

4、在并聯(lián)的應(yīng)用過程中，柵極跟電路寄生參數(shù)導(dǎo)致波動(dòng)會(huì)造成諧振失效。

5、在干燥的環(huán)境中，因?yàn)槿梭w跟設(shè)備而產(chǎn)生的靜電會(huì)導(dǎo)致器件的靜電無效。

6、因?yàn)闁艠O出現(xiàn)異常工作電壓頂i峰，導(dǎo)致柵極電壓無效。