公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
mos管小電流發(fā)熱的緣故
1、電路原理的難題,便是讓MOS管工作中在線形的運行狀態(tài),而不是在開關(guān)情況。這也是造成 MOS管發(fā)熱的一個緣故。假如N-MOS做開關(guān),G級工作電壓要比開關(guān)電源高幾V,才可以徹i底通斷,P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而損耗過大導(dǎo)致輸出功率耗費,等效電路直流電特性阻抗較為大,損耗擴大,因此U*I也擴大,耗損就代表著發(fā)熱。這也是設(shè)計方案控制電路的避諱的不正確。
2、頻率太高,主要是有時候太過追求完i美容積,造成 頻率提升,MOS管上的消耗擴大了,因此發(fā)熱也增加了。
3、沒有做到充足的排熱設(shè)計方案,電流太高,MOS管允差的電流值,一般必須保持良好的排熱才可以做到。因此ID低于較大電流,mos,也很有可能發(fā)熱比較嚴(yán)重,必須充足的輔助散熱器。
4、MOS管的型號選擇不正確,對輸出功率分辨不正確,MOS管內(nèi)電阻沒有考慮到,造成開關(guān)特性阻抗擴大。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
MOSFET管有兩個電極,一個是金屬,mos生產(chǎn)廠家,另一個是外在硅,mos公司,他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。MOSFET管一般被生產(chǎn)制造為四種類型,分別是增強型和耗盡型、P溝道和N溝道這四種,但其實在實際的運用中一般只用增強型的N溝道和增強型的P溝道MOS管,因此一般情況下只要提及NMOS或是PMOS便是指的是這兩種。
針對這兩種增強型的MOS管,其中較為普遍使用的是NMOS —— 原因是增強型的N溝道MOS管的導(dǎo)通電阻更小,并且生產(chǎn)簡便,因此在開關(guān)電源和電機驅(qū)動的運用中,我們一般使用增強型的N溝道MOS管。
MOS管的三個管腳中有寄生電容的存在,mos萬芯半導(dǎo)體,雖然說這并不是大家所需要的,但其中生產(chǎn)制造加工工藝需要寄生電容的存在。有了寄生電容,這讓其設(shè)計方案或挑選驅(qū)動電源電路的情況下會更麻煩一些,其中還沒有解決的辦法能避免。
在MOS管的漏極和源極中有一個寄生二極管叫做體二極管,就驅(qū)動感性負(fù)載來說,二極管對其十分重要。順帶說一句,體二極管只在單獨的MOS管內(nèi)存在,在集成電路芯片內(nèi)部一般都是沒有的。
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