輻射騷擾場(chǎng)強(qiáng)

設(shè)備端口

電場(chǎng)天線

磁場(chǎng)天線

根據(jù)麥克斯韋方程，emc電磁兼容測(cè)試，變化電場(chǎng)產(chǎn)生變化磁場(chǎng)，變化磁場(chǎng)產(chǎn)生變化電場(chǎng)。

設(shè)備內(nèi)每個(gè)電路都可能是等效磁場(chǎng)天線，機(jī)殼和電纜都可能是等效電場(chǎng)天線的一部分。

輻射騷擾測(cè)量范圍

30MHz～18GHz，測(cè)量電場(chǎng)（E）

1GHz以下，開闊場(chǎng)地或半電波暗室，電磁兼容測(cè)試方法，半自由空間。

1GHz以上 全電波暗室，模擬自由空間。

9KHz ～30MHz，測(cè)量磁場(chǎng)（ H ）

EUT較小，徐州電磁兼容測(cè)試，放在大磁環(huán)天線（LLA）中，電磁兼容認(rèn)證測(cè)試，測(cè)量騷擾磁場(chǎng)的感應(yīng)電流。

EUT較大，采用遠(yuǎn)天線法，用單小環(huán)在規(guī)定距離測(cè)量騷擾的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

測(cè)量場(chǎng)所‐開闊場(chǎng)地

測(cè)量場(chǎng)所‐半電波暗室

輻射騷擾測(cè)量天線

輻射騷擾測(cè)量設(shè)備

9kHz‐30MHZ輻射騷擾測(cè)量

30‐1000MHz輻射騷擾測(cè)量

1‐18GHz輻射騷擾測(cè)量

30‐1000MHz輻射騷擾測(cè)量

輻射騷擾場(chǎng)強(qiáng)計(jì)算

F (天線因子) = E/U

用dB值表示為F(dB) = E(dB) – U(dB)    E(dB) = U(dB) + F(dB)

被測(cè)場(chǎng)強(qiáng)E(dB) = 測(cè)量接收機(jī)讀數(shù)U(dB) + 天線系數(shù)F(dB) + 電纜損耗L(dB)

L2 （dB）＝ L1 （dB）+ 20lg（d1/d2）

式中L1和 L2分別為測(cè)試距離為d1 和d2時(shí)的輻射限值

待測(cè)物工作狀態(tài)遵循原則

EUT應(yīng)按設(shè)計(jì)要求在額定（標(biāo)稱）工作電壓和負(fù)載條件（機(jī)械性能和電氣性能）下 運(yùn)行。應(yīng)盡可能使用實(shí)際負(fù)載；

試驗(yàn)程序應(yīng)確保ITE（設(shè)備或系統(tǒng)）中的各個(gè)組成部分能夠運(yùn)行。

電磁兼容術(shù)語(yǔ)

騷擾限值（limit of disturbance）

對(duì)應(yīng)于規(guī)定測(cè)量方法的zui大電磁騷擾允許電平。

抗擾性限值（limit of immunity）

規(guī)定的zui小抗擾性電平。

發(fā)射裕量（emission margin）

設(shè)備或系統(tǒng)的電磁兼容電平與發(fā)射限值之間的差值。

抗擾性裕量（immunity margin）

設(shè)備或系統(tǒng)的抗擾度限值與電磁兼容電平之間的差值。

耦合途徑（coupling path ）

電磁能量從源到另一電路或裝置所經(jīng)的途徑

地耦合干擾（groud –coupled interference）

電磁騷擾從一電路通過(guò)公共地或地回路耦合到另一電路從而引起的電磁干擾。

干擾抑制（interference suppression）

削弱或消除電磁騷擾的措施。

電磁屏蔽（electromagnetic screen）

用來(lái)減少電磁場(chǎng)向指i定區(qū)域穿透的措施。

人工電源網(wǎng)絡(luò)（artificial mains network）

串接在被測(cè)設(shè)備電源進(jìn)線處的網(wǎng)絡(luò)。為騷擾電壓的測(cè)量提供規(guī)定的負(fù)載阻抗，并使被測(cè)設(shè)備與電源相互隔離。(又稱線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò) line impedance stabilization network (LISN) )

差模電壓（differential mode voltage）

一組規(guī)定的帶電導(dǎo)體任意兩根之間的電壓。

共模電壓（common mode voltage）

每個(gè)導(dǎo)體與規(guī)定參考點(diǎn)（通常是機(jī)殼或地）之間的電壓。

電磁兼容概述

（1）為什么要掌握電磁兼容技術(shù)

產(chǎn)品要通過(guò)認(rèn)證，走向國(guó)內(nèi)、外市場(chǎng)

電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)制實(shí)施

高速數(shù)碼電路、開關(guān)電源廣泛使用

產(chǎn)品多功能化、微電子化

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，開發(fā)周期越來(lái)越短

環(huán)保、無(wú)線電管理的需要

（2）電磁兼容標(biāo)志性i事件

1934年國(guó)際無(wú)線電干擾特別委i員會(huì)（ CISPR）成立

1944年德國(guó)電器工程師協(xié)會(huì)制訂世界第—個(gè)電磁兼容規(guī)范VDE 0878

IEEE射頻分冊(cè)(RFI)從1964年改為電磁兼容（EMC）分冊(cè)

我國(guó)1990年第—屆全i國(guó)學(xué)術(shù)會(huì)議

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