場上的FLASH存儲器產(chǎn)品包括兩類:1. 未預(yù)留緩沖空間的;2. 預(yù)留有緩沖空間的。
一種情況下,由于沒有預(yù)留空間,F(xiàn)LASH存儲器在讀寫時(shí)交換塊的損耗相當(dāng)大,于是就會出現(xiàn)容量越來越小的情況。
對于第二種情況,廠商在設(shè)計(jì)時(shí)已經(jīng)預(yù)留部分物理塊,比如選擇1024個(gè)物理塊中的1000個(gè)作為數(shù)據(jù)存儲使用,其余24個(gè)物理塊(包括壞塊)用作緩沖交換塊部分。每次上電后,存儲單元的邏輯地址和物理地址需要重新對照,交換塊并不是固定的某一區(qū)塊,因而每一個(gè)物理塊進(jìn)行讀寫操作的幾率幾乎相同,不會出現(xiàn)哪一個(gè)物理塊過早被損壞的現(xiàn)象。對于預(yù)留緩沖空間的FLASH存儲器來說,200度高溫可擦除存儲器參數(shù),基本不會出現(xiàn)容量越來越小的情況。
210度進(jìn)口存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。EEPROM存儲器原理
EEPROM存儲器采用浮柵晶體管作為存儲單元,通過向浮柵注入或移除電荷來改變晶體管的閾值電壓,從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。與傳統(tǒng)ROM相比,EEPROM具有可擦除和可編程的特性,使得數(shù)據(jù)可以被修改。
合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLash存儲器可以做到4MB容量,175度高溫可擦除存儲器參數(shù),200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。新興存儲器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲器,主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory;PCM)、可變電阻式存儲器(Resistive RAM;ReRAM)以及MRAM。這些新興存儲器目前都在競爭儲存級存儲器(Storage Class Memory;SCM)的主要位置。
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