氧在熱處理中的行為非常復雜。直拉單晶經(jīng)300~500℃熱處理會產(chǎn)生熱施主,而經(jīng)650℃以上熱處理可除熱施主,同時產(chǎn)生氧沉淀成核中心,在更高溫度下處理會產(chǎn)生氧沉淀,形成層錯和位錯等誘生缺陷,利用這些誘生缺陷能吸收硅中有害金屬雜質(zhì)和過飽和熱點缺陷的特性,發(fā)展成使器件由源區(qū)變成“潔凈區(qū)”的吸除工藝,能提高器件的成品率。
金屬硅粉的主要成分是結(jié)晶硅(Si),它起初的形態(tài)是塊狀的,經(jīng)過破碎或研磨以后成為粉末,半導體硅價格,用于耐火材料等行業(yè)。金屬硅粉成為粉末的原因是經(jīng)過物理的研磨,山西半導體硅,硅粉是生產(chǎn)過程中自然形成的;化學成分相差很大。金屬硅粉主要是二氧化硅,金屬硅主要含量是SI元素;金屬硅粉通常沒有活性,而硅粉具火山灰活性;金屬硅粉顏色通常比較穩(wěn)定。
金屬硅粉是一種以硅元素為主要成分的粉末狀物質(zhì),化學性質(zhì)相對穩(wěn)定,不易與酸、堿等物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。金屬硅粉具有高純度、高密度、高導熱性等特點,同時具有優(yōu)良的電絕緣性能和耐高溫性能。
金屬硅粉的制備方法有多種,其中常用的是化學氣相沉積法(CVD)。該方法是在高溫下將含硅的化合物蒸氣通過反應(yīng)室,使其與反應(yīng)室內(nèi)的襯底材料(如石墨、陶瓷等)發(fā)生化學反應(yīng),半導體硅廠家,生成硅單質(zhì)并沉積在襯底上,得到金屬硅粉。此外,還有物理氣相沉積法(PVD)、電解法等制備方法。
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