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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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區(qū)域提純后的金屬鍺，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當(dāng)于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，純銀板材加工，然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測器，純銀板材回收，其分辨率已接近于理論數(shù)值。
平面顯示器（FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場，亦將帶動ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦混合后燒結(jié)，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫臺金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取方法生產(chǎn)ITO靶材，貴州純銀板材，利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜．它具有沉積速度快．且能控制膜厚，純銀板材價格，電導(dǎo)率高，薄膜的一致性好，與基板的附著力強等優(yōu)點。
濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下：
熱等靜壓法：ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好，但設(shè)備投入高，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。
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