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區(qū)域提純后的金屬鍺，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時，純度相當于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺，則尚須經過特殊處理。
由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1，要加強化學提純方法除去這些雜質，然后再進行區(qū)熔提純。電子級純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應測量雜質（載流子）濃度，一般可達10～10原子/厘米。經切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達到所要求的純度（10原子/厘米），香檳金靶材報價，這樣純度的鍺（相當于13）所作的探測器，其分辨率已接近于理論數值。
以含有氯原子的表橡膠為代表的橡膠組分，香檳金靶材技術，用于導電橡膠輥，以允許導電橡膠輥呈離子導電性。該情況下，含有氯原子的橡膠組分具有較高的表面自由能。因此，含有氯原子的橡膠組分容易粘附于色粉和用于色粉的添加劑上。當含有氯原子的橡膠組分與離子導電的單體聚合時，江西香檳金靶材，導電輥具有較高的表面自由能并且容易弄濕。因此粘附于導電橡膠輥的色粉量變得較高。當通過用紫外線照射其表面或者使其暴露于臭氧中，使導電橡膠輥的表面上形成氧化膜時，導電橡膠輥表面的氧濃度變得較高。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式，就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，陶瓷化合物等。
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第8年
