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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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背靶的選擇
對材質(zhì)的要求：一般選用無氧銅和鉬靶，厚度在3mm左右
導(dǎo)電性好：常用無氧銅，無氧銅的導(dǎo)熱性比紫銅好；
強(qiáng)度足夠：太薄，易變形，鞍山2N金靶材，不易真空密封。
結(jié)構(gòu)要求：空心或者實心結(jié)構(gòu)；
厚度適中：3mm左右，太厚，消耗部分磁強(qiáng)；太薄，容易變形。
銦焊綁定的流程
1.綁定前的靶材和背板表面預(yù)處理
2.將靶材和背板放置在釬焊臺上，升溫到綁定溫度
3.做靶材和背板金屬化
4.粘接靶材和背板
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低．并且容易發(fā)生反應(yīng)，2N金靶材報價，導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，2N金靶材哪家好，二硼化鋯靶，2N金靶材價格，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
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第8年
