而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。銅與鋁相比較,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,能夠滿足!導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題:銅與有機介質(zhì)材料的附著強度低.并且容易發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題,需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物,金銅靶材廠家,因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對困難,如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
濺射靶材ITO靶材的生產(chǎn)工藝 ITO靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種:熱等靜壓法(HIP)、濺射靶材熱壓法(HP)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點簡介如下:
熱等靜壓法:ITO靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體,在800℃~1400℃及1000kgf/cm 2~2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機械性能好,哪家有金銅靶材,但設(shè)備投入高,生產(chǎn)成本高,北京金銅靶材,產(chǎn)品的缺氧率高。
稀土礦冶煉方法有兩種,即濕法冶金和火法冶金。
濕法冶金屬化工冶金方式,全流程大多處于溶液、溶劑之中,如稀土精礦的分解、稀土氧化物、稀土化合物、單一稀土金屬的分離和提取過程就是采用沉淀、結(jié)晶、氧化還原、溶劑萃取、離子交換等化學(xué)分離工藝過程。現(xiàn)應(yīng)用較普遍的是溶劑萃取法,它是工業(yè)分離高純單一稀土元素的通用工藝。濕法冶金流程復(fù)雜,產(chǎn)品純度高,該法生產(chǎn)成品應(yīng)用面廣闊。
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