密煉機(jī)的結(jié)構(gòu)也在不斷發(fā)展。密煉機(jī)工作過(guò)程及整個(gè)機(jī)組的機(jī)械化、自動(dòng)化水平也在不斷提高，采用了程序控制，現(xiàn)-在大型引進(jìn)機(jī)臺(tái)均采用計(jì)算機(jī)控制?？傊?，此種發(fā)展是在大大強(qiáng)化混煉過(guò)程，提高機(jī)臺(tái)效能，減輕體力勞動(dòng)和改善工作環(huán)境等。在這種劇烈的混煉過(guò)程中，當(dāng)然會(huì)帶來(lái)許多新問(wèn)題，因此，對(duì)機(jī)械研究設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，從機(jī)臺(tái)的捏煉系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、密封系統(tǒng)、加料及壓料系統(tǒng)、卸料系統(tǒng)、傳動(dòng)系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、主要零部件、材料到各種參數(shù)的技術(shù)決定以及理論，都需要相應(yīng)的發(fā)展，以使機(jī)臺(tái)性能優(yōu)良，為生產(chǎn)過(guò)程提供可能的適應(yīng)性和調(diào)節(jié)性。

加料順序

東莞厚街達(dá)剛密煉機(jī)混煉中，生膠、炭黑和液體軟化劑的投加順序與混煉時(shí)間特別重要，一般都是生膠先加，再加炭黑，混煉至炭黑在膠料中基本分散后再加入液體軟化劑，這樣有利于混煉，提高混煉效果，縮短混煉時(shí)間。液體軟化劑過(guò)早加入或過(guò)晚加入，均對(duì)混煉不利，易造成分散不均勻，混煉時(shí)間延長(zhǎng)，能耗增加。液體軟化劑的加入時(shí)間可由分配系數(shù)K確定。和促進(jìn)劑通常在混煉的后期加入，或排料到壓片機(jī)上加，減少焦燒危險(xiǎn)。小藥（固體軟化劑、活化劑、促進(jìn)劑、防老劑、防焦劑等）通常在生膠后，炭黑前加入。

當(dāng)密煉機(jī)遇見(jiàn)紫外線會(huì)擦出怎樣的火花

     紫外線技術(shù)已經(jīng)在很多方面都有應(yīng)用，而且讓人一看就有很的感覺(jué)，那么當(dāng)密煉機(jī)遇到紫外線會(huì)擦出什么樣的火花呢？紫外線技術(shù)能為密煉機(jī)帶來(lái)什么樣的改變呢？

     密煉機(jī)的自動(dòng)化電氣化已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，所謂密煉機(jī)自動(dòng)化控制就是有把重要系統(tǒng)都設(shè)置在一個(gè)小小的芯片上面，那么怎樣處理芯片上的東西是，使它更加的細(xì)膩更加的靈敏是很重要的，所以我們借用EUV光刻技術(shù)將更小的晶體管蝕刻在密煉機(jī)系統(tǒng)的微芯片上，即用超短波長(zhǎng)的光在現(xiàn)有微芯片上制造比目前精細(xì)4倍的圖案。只不過(guò)要想做到這一點(diǎn)，EUV光刻技術(shù)面臨著理化工等多個(gè)方面的挑戰(zhàn)。通過(guò)將波長(zhǎng)縮短到13.5納米，芯片上的圖案可縮小到5納米或更小。芯片上的集成電路圖案是通過(guò)讓光透過(guò)一個(gè)遮蔽物照射在一塊涂滿光阻劑的硅晶圓上制成，我們都知道一塊芯片能容納的晶體管數(shù)量每隔幾年就可以翻番，但是現(xiàn)在這一速度正在慢慢降低，或者說(shuō)走向盡頭。光越暗淡，凝固光阻劑需要的時(shí)間也越長(zhǎng)，而且因?yàn)楣饪碳夹g(shù)是微芯片制造過(guò)程中慢的步驟，所以，EUV光源的強(qiáng)度對(duì)降低成本至關(guān)重要。在芯片上蝕刻更小圖案方式是使用波長(zhǎng)更短的光波。

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