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FFFFFF;'>晶體振蕩器作用

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FFFFFF;'>每個(gè)單片機(jī)系統(tǒng)都有晶體振蕩器，差分輸出晶振，整個(gè)過(guò)程稱為晶體振蕩器。晶體振蕩器在單片機(jī)系統(tǒng)中起著非常重要的作用。它結(jié)合單片機(jī)內(nèi)部的電路，差分輸出晶振生產(chǎn)廠家，產(chǎn)生單片機(jī)所需的時(shí)鐘頻率。單片機(jī)所有指令的執(zhí)行都基于此。晶體振蕩器提供的時(shí)鐘頻率基于此。速率越高，微控制器的運(yùn)行速度就越快。

石英晶體振蕩器的應(yīng)用

石英鐘走時(shí)準(zhǔn)、耗電省為其優(yōu)點(diǎn)。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時(shí)精度。石英晶體振蕩器原理的示意如圖3所示，其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內(nèi)部。故無(wú)法通過(guò)改變C1或C2的數(shù)值來(lái)調(diào)整走時(shí)精度。但此時(shí)仍可用加接一只電容C有方法，來(lái)改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調(diào)整走時(shí)精度。根據(jù)電子鐘表走時(shí)的快慢，調(diào)整電容有兩種接法:若走時(shí)偏快，則可在石英晶體兩端并接電容C，差分輸出晶振原廠，如圖4所示。此時(shí)系統(tǒng)總電容加大，振蕩頻率變低，走時(shí)減慢。若走時(shí)偏慢，則可在晶體支路中串接電容C。如圖5所示。此時(shí)系統(tǒng)的總電容減小，振蕩頻率變高，走時(shí)增快。只要經(jīng)過(guò)耐心的反復(fù)試驗(yàn)，就可以調(diào)整走時(shí)精度。因此，晶振可用于時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器。

振蕩器的常見(jiàn)指標(biāo)

初始準(zhǔn)確率:指振蕩器上電工作某一段短時(shí)間內(nèi)的頻率準(zhǔn)確度:—般為開(kāi)機(jī)八分鐘至30分鐘，25度室溫，需要等到晶振穩(wěn)定工作

老化率:振蕩器在工作一段時(shí)間后由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改變引起的頻率偏移

引起原因:不同的熱膨脹系數(shù)、焊接材料在凝固、加工時(shí)尺寸的改變、由于成型，焊接時(shí)的殘余應(yīng)力，電極的內(nèi)應(yīng)力、石英在生長(zhǎng)中的不均勻，差分輸出晶振報(bào)價(jià)，雜質(zhì)和其他缺陷、切割，點(diǎn)清晰和腐蝕引起的表面破壞的影響、電極應(yīng)力和支架為對(duì)準(zhǔn)的彎矩，晶格內(nèi)部產(chǎn)生局部化應(yīng)力產(chǎn)生的破壞

根據(jù)測(cè)試時(shí)長(zhǎng)老化率一般分日老化率、月老化了、年老化率。

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