使用溫補振蕩器的注意事項
溫補晶體振蕩器,包括基板,所述基板的上側設置有外殼,所述外殼的上側設置有封裝蓋,所述外殼的內(nèi)側開設有芯片安裝腔,所述芯片安裝腔的內(nèi)側設置有振蕩電路芯片,所述芯片安裝腔的上側開設有振蕩安裝腔,所述振蕩安裝腔的內(nèi)側設置有石英振蕩片,所述外殼的外表面設置有散熱片;通過設計在振蕩器外殼上的散熱片,在使用時可以通過散熱片加快振蕩器產(chǎn)生的熱量,減少熱量對振蕩器的影響,且在運輸時振蕩器可以通過振蕩器外殼兩端交錯設置的散熱片相互卡合,使振蕩器碼放更加穩(wěn)定,防止因為晃動導致振蕩器撞擊出現(xiàn)損壞.
晶體振蕩器頻率控制方法
振蕩器可通過直接牽引頻率或使用高分辨率鎖相環(huán)調(diào)整頻率來實現(xiàn)頻率控制。直接牽引頻率的 VCXO用調(diào)整變?nèi)荻O管電壓來改變諧振電路電容,而直接牽引頻率的DCXO通過可編程開關切換不同的諧振電容。使用石英晶體諧振器的VCXO直接牽引頻 率調(diào)整可以保持低相位噪聲,但牽引范圍被限制在約±200ppm。當系統(tǒng)應用需要更寬的頻率牽引范圍和與晶體振蕩器相近的低噪聲特性時,用戶更傾向于選擇 基于鎖相環(huán)的MEMS控制振蕩器架構,因為它們可以提供高達±1600ppm的牽引范圍。
溫補振蕩器工作的原理
首先了解晶體的數(shù)學模型,用負阻的方法分析了石英晶體振蕩器的起振原理以及補償方法,設計了數(shù)字電容陣列可調(diào)頻率晶體振蕩電路,溫補振蕩器報價,實現(xiàn)了頻率簡單可控.帶隙測溫電路采用了LDO供電和cascode結構,溫補振蕩器生產(chǎn)廠家,實現(xiàn)了輸出溫度電壓具有高抑制比和準確性.模數(shù)轉換器ADC采用了12位逐次逼近型電路,溫補振蕩器,結構簡單精度適中.LDO為測溫電路提供了穩(wěn)定的工作電源保證了輸出信號的穩(wěn)定,溫補振蕩器價格,通過間斷性地工作實現(xiàn)整個系統(tǒng)的低功耗. 隨著CMOS技術的發(fā)展,上述的各種電路都可以集成在一塊芯片里面.本文基于集成電路設計工具Cadence的軟件環(huán)境,和SMIC的0.35um工藝,設計了以上電路,并得到了結果,驗證了本設計的可行性.
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