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重慶津澤機電科技有限公司

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接地故障檢測器GST7P-檢測器-津澤機電科技(查看)

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WT-2000P電阻率計SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置檢測器

WT-2000P電阻率計SEMILAB鋼錠缺陷檢測裝置

WT-2000P 是一種高通量在線測量儀器,檢測器,通過測量載流子復合壽命和電阻率來監(jiān)控硅塊的質量。在大 210 x 210 x 500 mm 的硅塊上進行快速非接觸式測量(單點、線掃描和/或地圖)。有手動和自動測量方式,上塊功能也有手動和自動(傳送帶)。它還具有自動化功能。

載流子復合壽命是多晶硅塊的關鍵質量控制參數(shù)。測量基于 μ-PCD 方法。電阻率是基于渦流法測量的。

WT-2000PVN 是一款臺式測量裝置,接地故障檢測器GST7P,可以測量各種太陽能電池、晶圓和塊?;鞠到y(tǒng)配備間接功能,您可以根據(jù)實際需要從以下選項中選擇配置測量功能。WT-2000PVN不僅可以測量晶圓和電池,還可以測量塊和錠。測量晶圓或電池時,通常會創(chuàng)建地圖。此外,在測量塊或錠時,通常只創(chuàng)建線掃描以節(jié)省時間,但 WT-2000PVN 可以同時進行。

少數(shù)載流子壽命測量裝置。u-PCD法可對硅塊、硅片進行非接觸、無損的壽命測量,并可進行映射顯示。通過壽命測量,可以評估污染和雜質,例如硅和化合物半導體中的鐵濃度。

WT-1200i 是一種非接觸式手持式儀器,用于基于渦流檢測光電導衰減 (e-PCD) 的單點體積壽命單點測量,適用于單晶錠和小塊金屬污染。專為檢測而開發(fā)。與表面鈍化樣品中的 μ-PCD 高度相關。

檢測器?充填式蒸餾裝置HP-9000-B型柴田科學SIBATA

充填式蒸餾裝置HP-9000-B型柴田科學SIBATA

充填式蒸留裝置HP-9000-B型,簡易蒸留裝置HP-1000-T型,充填式蒸留裝置HP-9100-B型,填料式蒸餾裝置,灌裝式蒸餾裝置,填充式蒸餾裝置

產(chǎn)品介紹

填料式蒸餾裝置HP-9000-B型:由于采用真空封套蒸餾塔,保溫效果好,可在無補償加熱器的情況下進行蒸餾。運算電路與主機一體化。

簡易蒸餾裝置HP-1000-T型:這是簡單形式的填料蒸餾設備,由基本所需的少零件組成,適用于實驗設備。除了使用溫度控制器外,還可以使用內(nèi)置定時器設置回流比。不適用于高沸物和粘稠物質的蒸餾。

灌裝式蒸餾裝置HP-9100-B型:由于采用真空封套蒸餾塔,保溫效果好,接地故障檢測器SRE5F,可在無補償加熱器的情況下進行蒸餾。配有操作面板和溫度記錄儀。

規(guī)格模型HP-9100-B填充Helipack No.2(SUS316)用法一般用途壓力下降 2.128kPa (16mmHg)蒸餾塔充填式 φ22×1200 mm

真空夾套式蒸餾瓶500 mL、1 L、2 L,各 2 個加熱器套式加熱器 AC100V, 250 W, 400 W,接地故障檢測器GST6P, 500 W回流比計時器采樣 0 到 999 秒

回流 0 到 999 秒可用壓力范圍全真空至常壓電源AC100V 2kVA尺寸機身:650(W)x 550(D)x 2440(H)mm

操作面板:600(W)x 450(D)x 1650(H)mm

CV測量SEMILAB全自動CV測量MCV-2200

全自動CV測量裝置MCV-2200, MCV-2500,CV測量裝置MCV系列MCV-530、MCV-530L,彈性金屬探頭CV測量裝置FCV-3000,非接觸式CV測量裝置Cn-CV 300-SL,Cn-CV 310/210 CV/IV,Cn-CV 330/230 CV/IV,Cn-CV 350 CV/IV,CV-1500,自動壽命測量裝置WT系列WT-2200, WT-2500, WT-3000,

產(chǎn)品介紹

CV測量裝置 Mercury probe MCV是一種可以評估半導體硅晶片和化合物半導體SiC的電氣特性以及MOS器件的氧化膜特性的裝置。在一般的CV測量設備中,poly-Si、Al等被氣相沉積在晶圓上作為柵電極,形成MOS和肖特基結構后評估CV/IV特性??梢院苋菀椎貦z查,而不需要MCV 自動映射系統(tǒng)對用于外延硅制造和半導體前端處理的未圖案化晶圓執(zhí)行 CV 測量。

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